HG2283 plus Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
HG2283 plus Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
video
HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
HG2283+Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
1/2
<< /span>
>

HG2283 plus Samsung V6 M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Samsung V6

                                             HG2283 plus Samsung V6M.2 2280 NVME SSD

 

1.PRODUKTSPECIFIKATIONER

 

Kapacitet

− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB

− Understøtter 32-bitadresseringstilstand

Elektrisk/fysisk grænseflade

− PCIe-grænseflade

− Kompatibel med NVMe 1.3

− PCIe Express Base Ver 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 bane & bagudkompatibel med PCIe Gen 2 og Gen 1

− Understøtter op til QD 128 med kødybde på op til 64K

− Understøtter strømstyring

Understøttet NAND Flash

− Understøtter op til 16 Flash Chip Enables (CE) i et enkelt design

− Understøtter op til 4 stk BGA132 flash

− Understøtter 8-bit I/O NAND Flash

− Understøtter Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 og ONFI 4.0 interface

Samsung V6 3D NAND

ECC-ordning

− HG2283 PCIe SSD anvender LDPC af ECC-algoritmen.

Sektorstørrelsesstøtte

   − 512B

- 4KB

UART/GPIO

Understøtte SMART- og TRIM-kommandoer

LBA rækkevidde

− IDEMA standard

 

Ydeevne:

TESTPLATEFORM

Computer

GIGABYTE X570 AORUS MASTER

System

Windows 10

CPU

AMD Ryzen7 5800X

HOVEDBORD

GIGABYTE X570 AORUS MASTER

DRAM

KingSton DDR4 3200 16G*2

HOVED DISK

SATA-SSD 256G

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

HG2283 512G TESTRESULTAT:

Controller

Kapacitet

Værktøj

Vare

Slags

Fart

HG2283

512 GB

SOM SSD

Resultat (1 GiB)

-

4051

Sekv. R/W(1GiB)

Læs

2976.58

Skrive

1555.75

Resultat (10 GiB)

-

2283

Sekv. R/W(10GiB)

Læs

2230.09

Skrive

1712.57

CDM7(MB/s)

SEQ Q8T1

Læs

3367.66

Skrive

1790.66

SEQ Q1T1

Læs

2259.30

Skrive

1803.77

RND Q32T16

Læs

995.50

Skrive

1662.81

RND Q1T1

Læs

70.18

Skrive

282.85

HG2283

512 GB

CDM7 (IOPS)

SEQ Q8T1

Læs

3211.65

Skrive

1707.71

SEQ Q1T1

Læs

2154.63

Skrive

1720.21

RND Q32T16

Læs

243043.21

Skrive

405960.45

RND Q1T1

Læs

17134.28

Skrive

69056.15

CDM6

SEQ Q32T1

Læs

3396.2

Skrive

1782.9

RND Q8T8

Læs

970.9

Skrive

1670.9

RND Q32T1

Læs

723.7

Skrive

511.9

RND Q1T1

Læs

70.05

Skrive

273.2

CDM8(MB/s)

SEQ Q8T1

Læs

3335.62

Skrive

1791.80

SEQ Q1T1

Læs

1879.56

Skrive

1796.48

RND Q32T1

Læs

586.66

Skrive

519.85

RND Q1T1

Læs

69.65

Skrive

278.21

CDM8 (IOPS)

SEQ Q8T1

Læs

3181.10

Skrive

1708.79

SEQ Q1T1

Læs

1792.49

Skrive

1713.25

RND Q32T1

Læs

143228.27

Skrive

126916.75

RND Q1T1

Læs

17005.37

Skrive

67922.85

ATTO

Overførselsstørrelse: 8MB

Læs

3463683

Skrive

3489660

HG2283

512 GB

HD Tune

SEQ(KB/s)

Læs

3263578

Skrive

3282038

RND 4K QD1(IOPS)

Læs

18270

Skrive

65945

RND 4K QD32(IOPS)

Læs

147577

Skrive

108710

AIAD64

Maks

Lineær læsning

1852.6

Lineær skrivning

1738.3

Ambolt

Score

12923.25

H2 testw

Skrive

86.2

Verificere

868

 

AS SSD Benchmark

product-752-709

 

product-733-689

 

product-728-689

 

CrystalDiskMark

 

product-758-545

product-759-552

product-761-545

product-756-544

product-747-686

product-761-563

product-761-555

 

ATTO_Disk_Benchmark

product-748-1147

Crystal Disk Info

product-838-861

 

HD TUNE

 

product-791-672

 

product-795-593

 

AIDA64 DISK BENCHMARK

 

product-863-591

 

product-865-586

 

 

H2 TEST

product-719-589

product-734-608


Ambolt Storage Utilities

 

product-865-581

Populære tags: hg2283 plus samsung v6 m.2 pcie nvme ssd 256gb 512gb 1t 2t, Kina hg2283 plus samsung v6 m.2 pcie nvme ssd 256gb 512gb 1t 2t

Send forespørgsel

(0/10)

clearall