NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.PRODUKTSPECIFIKATIONER Kapacitet − 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB − Understøttelse af 32-bitadresseringstilstand Elektrisk/fysisk grænseflade − Fysisk grænseflade − Kompatibel med NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 bane & bagudkompatibel med...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7
1.PRODUKTSPECIFIKATIONER
Kapacitet
− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB
− Understøtter 32-bitadresseringstilstand
Elektrisk/fysisk grænseflade
− PCIe-grænseflade
− Kompatibel med NVMe 1.3
− PCIe Express Base Ver 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 bane & bagudkompatibel med PCIe Gen 2 og Gen 1
− Understøtter op til QD 128 med kødybde på op til 64K
− Understøtter strømstyring
Understøttet NAND Flash
− Understøtter op til 16 Flash Chip Enables (CE) i et enkelt design
− Understøtter op til 4 stk BGA132 flash
− Understøtter 8-bit I/O NAND Flash
− Understøtter Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 og ONFI 4.0 interface
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
ECC-ordning
− HG2283 PCIe SSD anvender LDPC af ECC-algoritmen.
Sektorstørrelsesstøtte
− 512B
- 4KB
UART/GPIO
Understøtter SMART- og TRIM-kommandoer
LBA rækkevidde
− IDEMA standard
Ydeevne
Ydeevne af HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mbps)
|
Kapacitet |
Flash-struktur (BGA-pakke) |
OU# |
Flash Type |
Sekventiel (CDM) |
IOmeter |
||
|
Læst (MB/s) |
Skriv (MB/s) |
Læs (IOPS) |
Skriv (IOPS) |
||||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
BEMÆRKNINGER:
1. Ydeevnen var baseret på Hynix V7 TLC NAND flash.
STRØMFORBRUG
|
Kapacitet |
Flash-konfiguration (BGA-pakke) |
|
Strømforbrug3 |
|
|
|
Aflæst (mW) |
Skriv (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
BEMÆRKNINGER:
1. Data målt baseret på Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash.
2. Strømforbrug måles under de sekventielle læse- og skriveoperationer udført af IOMeter.
Flash Management
1.4.1. Fejlkorrektionskode (ECC)
Flash-hukommelsesceller vil forringes med brug, hvilket kan generere tilfældige bitfejl i de lagrede data. HG2283 PCIe SSD anvender således LDPC (Low Density Parity Check) af ECC-algoritmen, som kan detektere og rette fejl, der opstår under læseprocessen, sikre, at data er læst korrekt, samt beskytte data mod korruption.
1.4.2. Udjævning af slid
NAND-flash-enheder kan kun gennemgå et begrænset antal programmerings-/slettecyklusser, når flashmedier ikke bruges jævnt, bliver nogle blokke opdateret hyppigere end andre, og enhedens levetid vil blive reduceret betydeligt. Således anvendes slidudjævning for at forlænge levetiden af NAND-flash ved jævnt at fordele skrive- og slettecyklusser på tværs af medierne.
HosinGlobal leverer avanceret slidudjævningsalgoritme, som effektivt kan sprede flashforbruget ud gennem hele flashmedieområdet. Ydermere, ved at implementere både dynamiske og statiske slidudjævningsalgoritmer, er den forventede levetid for NAND-flashen væsentligt forbedret.
1.4.3. Dårlig blokstyring
Dårlige blokke er blokke, der ikke fungerer korrekt eller indeholder flere ugyldige bits, der forårsager ustabile lagrede data, og deres pålidelighed er ikke garanteret. Blokke, der er identificeret og mærket som dårlige af producenten, omtales som "Early Bad Blocks". Dårlige blokke, der udvikles i løbet af flashens levetid, kaldes "Later Bad Blocks". HosinGlobal implementerer en effektiv algoritme til håndtering af dårlige blokke til at detektere de fabriksfremstillede dårlige blokke og administrerer dårlige blokke, der vises ved brug. Denne praksis forhindrer, at data gemmes i dårlige blokke og forbedrer datapålideligheden yderligere.
1.4.4. TRIMME
TRIM er en funktion, som hjælper med at forbedre læse-/skriveydelsen og hastigheden af solid state-drev (SSD). I modsætning til harddiske (HDD) er SSD'er ikke i stand til at overskrive eksisterende data, så den tilgængelige plads bliver gradvist mindre for hver brug. Med TRIM-kommandoen kan operativsystemet informere SSD'en, så datablokke, der ikke længere er i brug, kan fjernes permanent. SSD'en vil således udføre slettehandlingen, som forhindrer ubrugte data i at optage blokke til enhver tid.
1.4.5. SMART
SMART, et akronym for Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, er en åben standard, der gør det muligt for et solid state-drev automatisk at detektere dets helbred og rapportere potentielle fejl. Når en fejl registreres af SMART, kan brugere vælge at udskifte drevet for at forhindre uventet udfald eller tab af data. Desuden kan SMART informere brugere om forestående fejl, mens der stadig er tid til at udføre proaktive handlinger, såsom at gemme data på en anden enhed.
1.4.6. Overforsyning
Overprovisionering henviser til det bevarende ekstra område ud over brugerkapaciteten i en SSD, som ikke er synlig for brugerne og ikke kan bruges af dem. Det tillader dog en SSD-controller at udnytte ekstra plads til bedre ydeevne og WAF. Med Over Provisioning forbedres ydeevnen og IOPS (Input/Output Operations per Second) ved at give controlleren ekstra plads til at styre P/E-cyklusser, hvilket også øger pålideligheden og udholdenheden. Desuden bliver skriveforstærkningen af SSD'en lavere, når
controlleren skriver data til flashen.
1.4.7. Firmware opgradering
Firmware kan betragtes som et sæt instruktioner om, hvordan enheden kommunikerer med værten. Firmware kan opgraderes, når nye funktioner tilføjes, kompatibilitetsproblemer er rettet, eller læse-/skriveydelsen forbedres.
1.4.8. Termisk drosling
Formålet med termisk drosling er at forhindre, at komponenter i en SSD overophedes under læse- og skriveoperationer. HG2283 er designet med en on-die termisk sensor og med dens nøjagtighed; firmware kan anvende forskellige niveauer af drosling for at opnå formålet med beskyttelse effektivt og proaktivt via SMART-aflæsning.
1.5. Avancerede enhedssikkerhedsfunktioner
1.5.1. Sikker sletning
Secure Erase er en standard NVMe-formatkommando og vil skrive alle "0x00" for fuldt ud at slette alle data på harddiske og SSD'er. Når denne kommando udstedes, vil SSD-controlleren slette sine lagerblokke og vende tilbage til fabriksindstillingerne.
1.5.2. Kryptosletning
Crypto Erase er en funktion, der sletter alle data på en OPAL-aktiveret SSD eller et "SED" (Security-Enabled Disk)-drev ved at nulstille diskens kryptografiske nøgle. Da nøglen er ændret, vil de tidligere krypterede data blive ubrugelige, hvilket opnår formålet med datasikkerhed.
1.5.3. Fysisk tilstedeværelse SID (PSID)
Physical Presence SID (PSID) er defineret af TCG OPAL som en 32-tegnstreng, og formålet er at vende SSD tilbage til dens produktionsindstilling, når drevet stadig er OPAL-aktiveret. PSID-kode kan udskrives på en SSD-etiket, når en OPAL-aktiveret SSD understøtter PSID-tilbagestillingsfunktionen.
1.6. SSD Lifetime Management
1.6.1. Terabytes skrevet (TBW)
TBW (Terabytes Written) er et mål for SSD'ers forventede levetid, som repræsenterer mængden af data
skrevet til enheden. For at beregne TBW for en SSD anvendes følgende ligning:
TBW = [(NAND Udholdenhed) x (SSD kapacitet)] / [WAF]
NAND Udholdenhed: NAND-udholdenhed refererer til P/E-cyklussen (Program/Erase) for en NAND-flash.
SSD kapacitet: SSD-kapaciteten er den specifikke kapacitet i alt for en SSD.
WAF: Write Amplification Factor (WAF) er en numerisk værdi, der repræsenterer forholdet mellem mængden af data, som en SSD-controller skal skrive, og mængden af data, som værtens flash-controller skriver. En bedre WAF, som er tæt på 1, garanterer bedre udholdenhed og lavere frekvens af data skrevet til flashhukommelsen.
TBW i dette dokument er baseret på JEDEC 218/219 arbejdsbelastning.
1.6.2. Medieslidindikator
Indikator for faktisk levetid rapporteret af SMART Attribut-byteindeks [5], Procentdel brugt, anbefaler brugeren at udskifte drevet, når det når op på 100 procent.
1.6.3. Skrivebeskyttet tilstand (end of life)
Når drevet er ældet af kumulerede program-/slettecyklusser, kan slidte medier forårsage et stigende antal senere dårlige blokeringer. Når antallet af brugbare gode blokke falder uden for et defineret brugbart område, vil drevet give værten besked via AER-hændelse og kritisk advarsel om at gå i skrivebeskyttet tilstand for at forhindre yderligere datakorruption. Brugeren skal straks begynde at udskifte drevet med et andet.
1.7. Adaptiv tilgang til præstationsindstilling
1.7.1. Gennemløb
Baseret på den tilgængelige plads på disken vil HG2283 regulere læse-/skrivehastigheden og styre ydelsen af gennemløb. Når der stadig er meget plads tilbage, vil firmwaren løbende udføre læse/skrive handling. Der er stadig ikke behov for at implementere skraldesamling for at allokere og frigive hukommelse, hvilket vil accelerere læse/skrive-behandlingen for at forbedre ydeevnen. Modsat, når pladsen bliver brugt op, vil HG2283 sænke læse-/skrivebehandlingen og implementere affaldsopsamling for at frigive hukommelse. Derfor bliver læse-/skriveydelsen langsommere.
1.7.2. Forudsig & Hent
Normalt, når værten forsøger at læse data fra PCIe SSD'en, udfører PCIe SSD'en kun én læsehandling efter at have modtaget én kommando. HG2283 anvender dog Predict & Fetch for at forbedre læsehastigheden. Når værten udsteder sekventielle læsekommandoer til PCIe SSD, vil PCIe SSD automatisk forvente, at følgende også vil være læsekommandoer. Før den næste kommando modtages, har flash allerede forberedt dataene. Følgelig fremskynder dette databehandlingstiden, og værten behøver ikke at vente så længe på at modtage data.
1.7.3. SLC Caching
HG2283s firmwaredesign anvender i øjeblikket dynamisk caching for at levere bedre ydeevne for bedre udholdenhed og forbrugernes brugeroplevelse.
3.1. Miljøforhold 3.1.1. Temperatur og luftfugtighed
Tabel 3-1 Høj temperatur
|
|
Temperatur |
Fugtighed |
|
Operation |
70 grader |
0 procent RF |
|
Opbevaring |
85 grader |
0 procent RF |
Tabel 3-2 Lav temperatur
|
|
Temperatur |
Fugtighed |
|
Operation |
0 grad |
0 procent RF |
|
Opbevaring |
-40 grad |
0 procent RF |
Tabel 3-3 Høj luftfugtighed
|
|
Temperatur |
Fugtighed |
|
Operation |
40 grader |
90 procent RF |
|
Opbevaring |
40 grader |
93 procent RF |
Tabel 3-4 Temperaturcyklus
|
|
Temperatur |
|
Operation |
0 grad |
|
70 grader1 |
|
|
Opbevaring |
-40 grad |
|
85 grader |
Bemærkninger:
1. Driftstemperaturen måles ved tilfældets temperatur, som kan afgøres via SMART Airflow, og det vil tillade enheden at blive brugt ved passende temperatur for hver komponent under tunge arbejdsbelastninger.
3.1.2. Chok
Tabel 3-5 Stød
|
|
Accelerationskraft |
|
Ikke-operativ |
1500G |
3.1.3. Vibration
Tabel 3-6 Vibration
|
|
Cond |
ion |
|
Frekvens/Forskydning |
Frekvens/Acceleration |
|
|
Ikke-operativ |
20Hz~80Hz/1,52mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Dråbe
Slip tabel 3-7
|
|
|
Faldhøjde |
|
|
Antal fald |
|
Ikke-operativ |
|
80 cm frit fald |
|
|
6 sider af hver enhed |
|
3.1.5. Bøjning |
Bord 3-8 Bøjning |
|
|
||
|
|
|
Kraft |
|
|
Handling |
|
Ikke-operativ |
|
Større end eller lig med 20N |
|
|
Hold 1 min/5 gange |
|
3.1.6. Moment |
Tabel 3-9 Moment |
|
|
||
|
|
|
Kraft |
|
|
Handling |
|
Ikke-operativ |
|
0,5N-m eller ±2,5 grader |
|
|
Hold 1 min/5 gange |
|
3.1.7. Elektrostatisk afladning (ESD) |
Tabel 3-10 ESD |
|
|
||
|
Specifikation |
|
|
plus /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 og IEC 61000-4-2 |
Enhedens funktioner påvirkes, men EUT vender automatisk tilbage til sin normale eller operationelle tilstand. |
||||
4. ELEKTRISKE SPECIFIKATIONER
4.1. Forsyningsspænding
Tabel 4-1 Forsyningsspænding
|
Parameter |
Bedømmelse |
|
Driftsspænding |
Min.=3.14 V Maks.=3.47 V |
|
Stigningstid (maks./min.) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Efterårstid (maks./min.) |
1500 ms / 1 ms |
|
Min. Off Time1 |
1500 ms |
BEMÆRK:
1. Minimum tid mellem strømmen fjernet fra SSD (Vcc < 100 mV) og strømmen gentilført til drevet.
4.2. Strømforbrug
Tabel 4-2 Strømforbrug i mW
|
Kapacitet |
Flash-konfiguration |
OU# |
Læs (maks.) |
Skriv (maks.) |
Læs (Gns.) |
Skriv (Gns.) |
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
BEMÆRKNINGER:
Baseret på APF1Mxxx-serien under omgivelsestemperatur.
Den gennemsnitlige værdi af strømforbruget opnås baseret på 100 procent konverteringseffektivitet.
Den målte effektspænding er 3,3V.
Temperaturen på en lagerenhed i PS1 bør forblive konstant eller bør falde en smule for alle arbejdsbelastninger, så den faktiske effekt i PS1 bør være lavere end PS0.
Temperaturen på en lagerenhed i PS2 bør falde kraftigt for alle arbejdsbelastninger, så den faktiske effekt i PS2 bør være lavere end PS1.
5. GRÆNSEFLADE
5.1. Pin-tildeling og beskrivelser
Tabel {{0}} definerer signaltildelingen af det interne NGFF-stik til SSD-brug, beskrevet i PCI Express M.2-specifikationen version 1.0 af PCI-SIG.
Tabel 5-1 Pin-tildeling og beskrivelse af HG2283 M.2 2280
|
Pin nr. |
PCIe pin |
Beskrivelse |
|
1 |
GND |
KONFIG_3=GND |
|
2 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
3 |
GND |
Jord |
|
4 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
5 |
PETn3 |
PCIe TX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
6 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
7 |
PETp3 |
PCIe TX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
8 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
9 |
GND |
Jord |
|
10 |
LED1# |
Åbent afløb, aktivt lavt signal. Disse signaler bruges til at give tilføjelseskortet mulighed for at levere statusindikatorer via LED-enheder, der leveres af systemet. |
|
11 |
PERn3 |
PCIe RX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
12 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
13 |
PERp3 |
PCIe RX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
14 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
15 |
GND |
Jord |
|
16 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
17 |
PETn2 |
PCIe TX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
18 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
19 |
PETp2 |
PCIe TX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
20 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
21 |
GND |
Jord |
|
22 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
23 |
PERn2 |
PCIe RX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
24 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
25 |
PERp2 |
PCIe RX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
26 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
27 |
GND |
Jord |
|
28 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
29 |
PETn1 |
PCIe TX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
30 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
31 |
PETp1 |
PCIe TX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
32 |
GND |
Jord |
|
33 |
GND |
Jord |
|
34 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
35 |
PERn1 |
PCIe RX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
36 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
37 |
PERp1 |
PCIe RX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
Pin nr. |
PCIe pin |
Beskrivelse |
|
38 N/C |
Ingen forbindelse |
|
|
39 JORD |
Jord |
|
|
40 SMB_CLK (I/O)(0/1,8V) |
SMBus ur; Åbn afløb med pull-up på platform |
|
|
41 |
PETn0 |
PCIe TX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
42 |
SMB{{0}}DATA (I/O)(0/1,8V) |
SMBus Data; Åbn afløb med pull-up på platform. |
|
43 |
PETp0 |
PCIe TX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
44 |
ALERT#(O) (0/1,8V) |
Advarselsmeddelelse til master; Åbent afløb med optræk på platformen; Aktiv lav. |
|
45 |
GND |
Jord |
|
46 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
47 |
PERn0 |
PCIe RX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
48 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
49 |
PERp0 |
PCIe RX Differentialsignal defineret af PCI Express M.2 spec |
|
50 |
PERST#(I)(0/3,3V) |
PE-Reset er en funktionel nulstilling af kortet som defineret af PCIe Mini CEM-specifikationen. |
|
51 |
GND |
Jord |
|
52 |
CLKREQ#(I/O)(0/3,3V) |
Uranmodning er et referenceuranmodningssignal som defineret af PCIe Mini CEM-specifikationen; Bruges også af L1 PM-understater. |
|
53 |
REFCLKn |
PCIe-referenceursignaler (100 MHz) defineret af PCI Express M.2-specifikationen. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3,3V) |
PCIe PME vækning. Åbn afløb med optræk på platformen; Aktiv lav. |
|
55 |
REFCLKp |
PCIe-referenceursignaler (100 MHz) defineret af PCI Express M.2-specifikationen. |
|
56 |
Reserveret til MFG DATA |
Produktionsdatalinje. Anvendes kun til SSD-produktion. Bruges ikke ved normal drift. Stifter skal efterlades N/C i platformssocket. |
|
57 |
GND |
Jord |
|
58 |
Reserveret til MFG UR |
Fremstilling af urlinje. Anvendes kun til SSD-produktion. Bruges ikke ved normal drift. Stifter skal efterlades N/C i platformssocket. |
|
59 |
Modulnøgle M |
Modulnøgle |
|
60 |
Modulnøgle M |
|
|
61 |
Modulnøgle M |
|
|
62 |
Modulnøgle M |
|
|
63 |
Modulnøgle M |
|
|
64 |
Modulnøgle M |
|
|
65 |
Modulnøgle M |
|
|
66 |
Modulnøgle M |
|
|
67 |
N/C |
Ingen forbindelse |
|
68 |
SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) |
32.768 kHz urforsyningsindgang, der leveres af platformchipsættet for at reducere strøm og omkostninger for modulet. |
|
69 |
NC |
KONFIG_1=Ingen forbindelse |
|
70 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
71 |
GND |
Jord |
|
72 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
73 |
GND |
Jord |
|
74 |
3.3V |
3,3V kilde |
|
75 |
GND |
CONFIG_2=Jord |
Formfaktor: M.2 2280 S2
Dimensioner: 80.00mm (L) x 22.00mm (B) x 2.15mm (H)
|
Se retning |
Diagram |
|
Top |
 
|
|
Bund |
|
|
Se retning |
Diagram |
|
Side |
|
|
|
|
Figur 7-1 Produktets mekaniske diagram og dimensioner
8. BEMÆRKNINGER TIL ANVENDELSE
8.1. Forholdsregler for håndtering af wafer Level Chip Scale Packaging (WLCSP).
Der er mange komponenter samlet på en enkelt SSD-enhed. Håndter drevet med forsigtighed, især når det har WLCSP-komponenter (Wafer Level Chip Scale Packaging) såsom PMIC, termisk sensor eller belastningskontakt. WLCSP er en af de emballageteknologier, der er almindeligt anvendt til at lave mindre fodspor, men eventuelle stød eller ridser kan beskadige disse ultrasmå dele, så skånsom håndtering anbefales kraftigt.
SLIP IKKE SSD
INSTALLER SSD MED FORSIGTIGHED
REV SSD I EN ORDENTLIG PAKKE
8.2. M-nøgle M.2 SSD-monteringsforholdsregler
M Key M.2 SSD (Figur 1) er kun kompatibel med M Key (Figur 2) stik. Som vist i Use Case 2 kan misbrug forårsage alvorlige skader på SSD, herunder udbrænding.
Figur 8-1 M-nøgle M.2 Forholdsregler ved montering
Populære tags: NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7, Kina NY M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 plus HYNIX V7
Send forespørgsel
